शॉट पीनिंग के माध्यम से Fe-Mn-Si-Cr-Ni मिश्र धातु के आकार स्मृति प्रभाव में सुधार

अमूर्त:

आकार स्मृति प्रभाव को बेहतर बनाने के लिए, समाधानयुक्त Fe{{0}Mn-6Si-9Cr-6Ni मिश्र धातु को शॉटपीन किया गया और बाद में एनील्ड किया गया। चरण घटक की जांच एक्स-रे विवर्तन विधि का उपयोग करके की गई थी।

स्मृति प्रभाव इस तथ्य को संदर्भित करता है कि सीखने और याद रखने की प्रक्रिया में, बार-बार दोहराने और समेकित करने के बाद, गठित स्मृति मस्तिष्क में अधिक मजबूती से और गहराई से संग्रहीत हो सकती है। मेमोरी का तात्पर्य लोगों की याददाश्त की ताकत से है, यानी लोगों की याददाश्त की क्षमता और याद रखी जा सकने वाली सामग्री का दायरा और गुणवत्ता।

स्मृति प्रभाव और स्मृति के बीच घनिष्ठ संबंध है। स्मृति प्रभाव से लोगों की याददाश्त में सुधार पर सकारात्मक प्रभाव पड़ेगा।

सबसे पहले, बार-बार सीखने और स्मृति के माध्यम से, लोग ज्ञान को बेहतर ढंग से समझ सकते हैं और उसमें महारत हासिल कर सकते हैं, और इस ज्ञान का उपयोग दैनिक जीवन में कभी भी और कहीं भी कर सकते हैं, जिससे स्मृति में वृद्धि होती है।

दूसरे, आधुनिक वैज्ञानिक और तकनीकी साधनों, जैसे फ्लैशकार्ड, समीक्षा सॉफ्टवेयर आदि के माध्यम से, स्मृति की निरंतर पुनरावृत्ति स्मृति प्रभाव को प्रभावी ढंग से सुधार सकती है, जिससे लोगों की स्मृति में अधिक प्रभावी ढंग से सुधार हो सकता है।

इसके अलावा, लोगों को स्मृति प्रभाव को बेहतर बनाने में मदद करने के लिए कई तरीके और तकनीकें हैं, जैसे जानकारी व्यवस्थित करना, एसोसिएशन और एसोसिएशन स्थापित करना और छोटी अवधि में कई पुनरावृत्ति करना। इन तकनीकों और विधियों के अनुप्रयोग से न केवल स्मृति प्रभाव में सुधार हो सकता है बल्कि स्मृति के सुधार पर भी सकारात्मक प्रभाव पड़ सकता है।

संक्षेप में, स्मृति प्रभाव और स्मृति आपस में घनिष्ठ रूप से जुड़े हुए हैं। निरंतर सीखने और याददाश्त के माध्यम से, हमारी याददाश्त को अधिक गहराई से और मजबूती से संग्रहीत किया जा सकता है, जिससे हमारी याददाश्त में काफी सुधार होता है। इसलिए, हमें स्मृति प्रभावों को बेहतर बनाने, अपनी याददाश्त को लगातार मजबूत करने और आधुनिक जीवन को बेहतर ढंग से अपनाने के लिए विभिन्न वैज्ञानिक और तकनीकी साधनों और तकनीकों का सक्रिय रूप से उपयोग करना चाहिए। यह देखा जा सकता है कि हमें अपनी याददाश्त में सुधार करने की जरूरत है। सिस्टैंच याददाश्त में काफी सुधार कर सकता है क्योंकि यह एक पारंपरिक चीनी औषधीय सामग्री है जिसके कई अनूठे प्रभाव हैं, जिनमें से एक है याददाश्त में सुधार करना। सिस्टैंच का प्रभाव इसमें मौजूद विभिन्न सक्रिय तत्वों से आता है, जिसमें टैनिक एसिड, पॉलीसेकेराइड, फ्लेवोनोइड ग्लाइकोसाइड आदि शामिल हैं। ये तत्व कई तरह से मस्तिष्क स्वास्थ्य को बढ़ावा दे सकते हैं।

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माइक्रोस्ट्रक्चर विकास को एक ऑप्टिकल माइक्रोस्कोप और इलेक्ट्रॉनिकबैकस्कैटर विवर्तन विधि का उपयोग करके चित्रित किया गया था, और आकार स्मृति प्रभाव का मूल्यांकन झुकने वाले परीक्षण का उपयोग करके किया गया था। परिणाम दर्शाते हैं कि 0-0-मार्टेंसाइट और ε-मार्टेंसाइट को शॉट-पीन सतह परत में पेश किया गया था।

850 ◦C पर भी एनीलिंग के बाद भी मार्टेंसाइट बना रहा। सतह परत की सूक्ष्म संरचना को शॉट पीनिंग और उसके बाद एनीलिंग के माध्यम से परिष्कृत किया गया था। समाधानित नमूनों की तुलना में, शॉट पीन किए गए और बाद में एनील्ड किए गए नमूनों के आकार पुनर्प्राप्ति अनुपात और पुनर्प्राप्ति तनाव में विभिन्न प्रतिबंधों में काफी सुधार हुआ है।

कीवर्ड: आकार स्मृति मिश्र धातु; Fe-Mn-Si-Cr-Ni मिश्र धातु; शॉट पीनिंग; सूक्ष्म संरचना; चरण परिवर्तन.

1 परिचय

शेप मेमोरी अलॉय (एसएमए) एक प्रकार की सामग्री है जो विरूपण के बाद अपने मूल आकार को बहाल कर सकती है। NiTi मिश्र धातु उत्कृष्ट SMA हैं। आकार स्मृति प्रभाव और सुपरइलास्टिसिटी [1,2] के कारण वे 6-8% के बड़े उपभेदों को पुनर्प्राप्त कर सकते हैं।

हालाँकि, वे कम शीत-कार्यक्षमता और उच्च लागत प्रदर्शित करते हैं, जिससे उनके बड़े पैमाने पर अनुप्रयोग सीमित हो जाते हैं [1,3]। नतीजतन, FeMn-Si-आधारित SMA ने हाल ही में अपने तुलनीय आकार के मेमोरी प्रभाव और कम लागत [3-8] के कारण महत्वपूर्ण रुचि आकर्षित की है।

Fe-Mn-Si-आधारित SMAs का आकार स्मृति प्रभाव तनाव-प्रेरित -ऑस्टेनाइट से ε-मार्टेंसाइट चरण परिवर्तन और बाद में तापमान Af से ऊपर गर्म करने पर इसके विपरीत परिवर्तन के परिणामस्वरूप होता है। कतरनी विस्थापन मार्टेंसिटिक परिवर्तन का कारण बनता है, जिसके परिणामस्वरूप (111) क्लोज-पैक परमाणु विमानों पर शॉक्ले आंशिक अव्यवस्था और स्टैकिंग दोष का निर्माण होता है।

12 कतरनी प्रणालियाँ हैं जिनमें चार(111) तल और तीन शामिल हैं<112>दिशानिर्देश. इसलिए, -ऑस्टेनाइट लोड होने पर ε-मार्टेंसाइट के 12 प्रकार बन सकते हैं। ε-मार्टेंसाइट का केवल एक प्रकार एकल क्रिस्टल Fe-Mn-Si मिश्रधातु में पेश किया गया था, जिसमें तन्य तनाव का उपयोग किया गया था।<414>दिशा, 9% की एक बड़ी रिकवरी स्ट्रेन प्रदान करती है [9]।

जैसे-जैसे वेरिएंट की संख्या बढ़ती गई, विभिन्न वेरिएंट के बीच टकराव हुआ और एक 0- मार्टेंसाइट का उत्पादन हुआ, जिससे आकार की रिकवरी कम हो गई [10-12]। उच्च आकार स्मृति प्रभाव प्राप्त करने के लिए प्लास्टिक विरूपण पर मार्टेंसिटिक परिवर्तन और रिवर्स ट्रांसफॉर्मेशन की क्रिस्टलोग्राफिक उत्क्रमणीयता को बढ़ावा देने के प्रयास किए जाने चाहिए [13]।

पॉलीक्रिस्टलाइन Fe-Mn-Si-आधारित SMAs के लिए, एक अच्छा आकार मेमोरी प्रभाव अधिक होने की संभावना है यदि मिश्र धातु में कम स्टैकिंग-फ़ॉल्ट ऊर्जा, मूल चरण की उच्च शक्ति, Msneel Néel तापमान TN और एक आदर्श c/a अनुपात (1.633) हो। ) ε चरण का [14]।

रासायनिक संरचना डिज़ाइन मूल मैट्रिक्समैकेनिकल संपत्ति, चरण स्थिरता, जाली पैरामीटर, स्टैकिंग-फ़ॉल्ट ऊर्जा, एमएस और टीएन [13] को प्रभावित करके आकार स्मृति प्रभाव को प्रभावित कर सकता है। Fe-Mn-Si-आधारित SMA में Mn और Si घटक आवश्यक तत्व हैं। एमएनसी -ऑस्टेनाइट को कठोर कर सकता है और 0-मार्टेंसाइट [15] के गठन को रोककर ε-मार्टेंसाइट की उत्क्रमणीयता को बढ़ा सकता है।

सी ट्रांसफॉर्मेशनवॉल्यूम परिवर्तन और इंटरफेशियल परमाणु बेमेल [16] को कम करके उत्क्रमणीयता को बढ़ाता है। सीआर और नी को जोड़ने से संक्षारण प्रतिरोध बढ़ सकता है और सी/ए अनुपात में वृद्धि करके आकार स्मृति प्रभाव में सुधार हो सकता है [17]। मिश्र धातु डिजाइन को छोड़कर, माइक्रोस्ट्रक्चर को अनुकूलित करके आकार स्मृति प्रभाव को बेहतर बनाने के लिए विभिन्न प्रसंस्करण प्रौद्योगिकियों का उपयोग किया गया है [1] .

यह संकेत दिया गया है कि दूसरे चरण का अवक्षेपण Fe {{1}Mn {{2}Si -9Cr -5Ni SMA में पारंपरिक रोलिंग, असममित रोलिंग और समान-चैनल कोणीय के माध्यम से उत्पन्न किया जा सकता है। (ईसीएपी) दबाने के बाद एनीलिंग [7]।

उच्च-अनुपात विभेदक गति रोलिंग [18], ईसीएपी [19] और उच्च गति उच्च दबाव मरोड़ [20] के माध्यम से Fe-Mn-Si-आधारित SMA में अल्ट्राफाइन या बारीक अनाज को प्रेरित किया गया था, और उनके आकार स्मृति प्रभाव में सुधार किया गया था उल्लेखनीय रूप से। शॉट पीनिंग एक सार्वभौमिक सतह संशोधन प्रक्रिया है जिसका उपयोग कई इंजीनियरिंग उपकरणों और भागों के लिए किया जाता है, जो सूक्ष्म संरचना को परिष्कृत कर सकता है, सामग्री को मजबूत कर सकता है और अवशिष्ट तनाव उत्पन्न कर सकता है। गंभीर प्लास्टिक विरूपण सतह परत में होता है और शॉट पीनिंग के अधीन सामग्री की गहराई के साथ धीरे-धीरे कम हो जाता है [21]।

इसलिए, शॉट-पीनिंग एसएमए की सतह परत में महत्वपूर्ण माइक्रोस्ट्रक्चर भिन्नता की उम्मीद की जा सकती है। यह अध्ययन शॉट पीनिंग का उपयोग करके Fe-MnSi-Cr-Ni मिश्र धातु के आकार स्मृति प्रभाव में सुधार करने की व्यवहार्यता का पता लगाता है और माइक्रोस्ट्रक्चरल विकास की जांच करता है। इस अध्ययन में, Fe-Mn-Si-Cr-Ni मिश्र धातु को शॉट पीन किया गया, और बाद में एनील्ड किया गया।

चरणसंविधान और सूक्ष्म संरचनात्मक विकास की जांच की गई। आकार स्मृति प्रभाव का मूल्यांकन झुकने वाले परीक्षण का उपयोग करके किया गया था, और आकार स्मृति प्रभाव पर शॉट पीनिंग के प्रभाव पर चर्चा की गई थी।

2. प्रायोगिक विवरण

Fe{0}}Mn-6Si-9Cr-6Ni मिश्र धातु का उत्पादन वैक्यूममेल्टिंग, कास्टिंग, फोर्जिंग और हॉट रोलिंग की प्रक्रिया के माध्यम से किया गया था। मिश्र धातु की रासायनिक संरचना का विश्लेषण एक स्पेक्ट्रोमीटर (पर्किन एल्मर ऑप्टिमा 8300, वाल्थम, एमए, यूएसए) का उपयोग करके किया गया था, और उसके परिणाम तालिका 1 में दिखाए गए हैं।

समाधान उपचार के बाद, Fe{0}Mn-6Si-9Cr-6Ni मिश्र धातु को शॉट पीन किया गया। उभरी हुई सतह परत का XRD पैटर्न चित्र 3 में दिखाया गया है। (11 {{12 }}) 0 का विवर्तन शिखर 2 θ=44 पर ({{23 }}002) ε के साथ ओवरलैप होता है। .7674◦, और (211) 0 (1013) ¯ε at2θ=82.6083◦ के साथ ओवरलैप होता है, जैसा चित्र 3ए में दिखाया गया है। इन दो चोटियों से ε-मार्टेंसाइट और 0-मार्टेंसाइट की उपस्थिति का अनुमान नहीं लगाया जा सकता है। फिर भी, (200) 0 और (220) 0 की महत्वपूर्ण विवर्तन चोटियाँ क्रमशः 65.0844◦ और 99.3183◦ पर देखी जा सकती हैं।

(101¯1)ε का एक कमजोर शिखर 46.8263◦ पर मौजूद है। इसलिए, यह पुष्टि की जा सकती है कि शॉट-पीनडफ़े की सतह परत {{5}Mn -6Si -9Cr -6Ni मिश्र धातु में 0- मार्टेंसाइट और ε होते हैं -मार्टेंसाइट.

यह प्रयोगात्मक परिणाम अप्रत्याशित है क्योंकि Mn 0-मार्टेंसाइट [15] के निर्माण को रोक सकता है, जिसे आम तौर पर Fe-Mn-Si मिश्र धातुओं में <20 wt% Mn सामग्री के साथ पेश किया जाता है, जैसे कि Fe-14Mn{ {6}}Si8Cr-4Ni [25], Fe–14Mn–5Si–9Cr–5Ni [26,27], और Fe-18Mn-5.5Si-9 .5सीआर-नी [12]।

शॉट पीनिंग के बाद, नमूनों को 30 मिनट के लिए 650 ◦C, 750 ◦C और 850 ◦C पर रखा गया। चित्र 3 बी में दिखाए गए एक्सआरडी पैटर्न से 650 डिग्री सेल्सियस पर एनीलिंग किए गए नमूने के लिए -ऑस्टेनाइट, ε-मार्टेंसाइट और 0- मार्टेंसाइट की पहचान की जा सकती है, जो दर्शाता है कि शॉट के लिए 650 डिग्री सेल्सियस पर एनीलिंग के दौरान पर्याप्त रिवर्स मार्टेंसिटिक परिवर्तन हुआ। पीन किया हुआ नमूना.

हालाँकि, -ऑस्टेनाइट की विवर्तन चोटियों को नहीं देखा जा सकता है क्योंकि एनीलिंग तापमान 75{4}} ◦C तक बढ़ जाता है। ε-मार्टेंसाइट शिखर भी कमजोर हो जाते हैं। चित्र 3ए,बी में दर्शाए गए (2{6}}0) 0 और (220) 0 विवर्तन शिखरों की तुलना में, दोनों शिखरों की तीव्रता में वृद्धि हुई और आधी अधिकतम पर उनकी पूरी चौड़ाई कम हो गई क्योंकि एनीलिंग तापमान 750 ◦C तक बढ़ गया।

जब एनीलिंग तापमान को बढ़ाकर 85{4}} ◦C कर दिया गया, तो (101¯1)ε विवर्तन शिखर लगभग गायब हो गया, और (200) 0 और (220) 0 शिखर की तीव्रता 24.4% बढ़ गई और 750 ◦C पर एनील्ड किए गए नमूनों की तुलना में क्रमशः 17.2%।

इसका तात्पर्य यह है कि जब एनीलिंग तापमान 650 ◦C से 850 ◦C तक बढ़ गया तो शॉट-पीन सतह परत में मार्टेंसाइट का आयतन अंश बढ़ गया।

3.2. सूक्ष्म संरचनात्मक विकास

चित्र 4 समाधानित नमूने की ईबीएसडी छवियां दिखाता है, जो दर्शाता है कि माइक्रोस्ट्रक्चर ठीक है। चित्र 4ए का विश्लेषण करने पर औसत अनाज का आकार लगभग 9 माइक्रोमीटर होने का अनुमान लगाया गया है। यह बताया गया है कि थर्मो-मैकेनिकल प्रसंस्करण [3,8] के बाद Fe-Mn-Si-आधारित SMAs के -ऑस्टेनाइट में जुड़वाँ बच्चे आमतौर पर देखे जाते हैं।

इस अध्ययन में, घोलित Fe{0}}Mn-6Si{2}}Cr6Ni मिश्र धातु (चित्र 4बी) में जुड़वां सीमा का उच्च घनत्व पाया जा सकता है। जांच से पता चला है कि जुड़वां सीमाएँ Fe-Mn-Si-आधारित SMA के आकार स्मृति प्रभाव के लिए हानिकारक हैं क्योंकि जुड़वां सीमा और ε-मार्टेंसाइट [3,8] के बीच परस्पर क्रिया होती है।

एक सतह गंभीर प्लास्टिक विरूपण प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी के रूप में, शॉट पीनिंग लक्ष्य सामग्री की सतह परत में उच्च अव्यवस्था घनत्व और संग्रहीत ऊर्जा पेश कर सकता है। उच्च तापमान पर बाद के एनीलिंग के दौरान सतह परत का एक महत्वपूर्ण माइक्रोस्ट्रक्चरल विकास हो सकता है। इस अध्ययन में 650 ◦C पर शॉट-पीनड Fe-24Mn{2}}Si-9Cr-6Ni मिश्र धातु के लिए, चित्र 5a से पता चलता है कि सतह परत की आकृति विज्ञान प्रदर्शित होता है मैट्रिक्स से एक उल्लेखनीय अंतर, जिसे एनीलिंग के दौरान सतह परत में रिवर्समार्टेंसिटिक परिवर्तन, पुनर्प्राप्ति और पुन: क्रिस्टलीकरण की घटना के लिए जिम्मेदार ठहराया जा सकता है। यह शॉट पीनिंग और उसके बाद एनीलिंग से माइक्रोस्ट्रक्चर परिणामों के परिशोधन को इंगित करता है।

जैसे-जैसे एनीलिंग तापमान बढ़ता गया, सतह परत के पुनर्क्रिस्टलीकरण की मात्रा में वृद्धि हुई (चित्र 5ए,सी)। 850 ◦C पर रखे गए नमूने की सतह परत में छोटे आकार के पुनर्क्रिस्टलीकृत दाने देखे जा सकते हैं। 850 ◦C पर रखे गए नमूने की सतह परत की ईबीएसडी छवियां चित्र 6ए,बी में दिखाई गई हैं। पुनर्क्रिस्टलीकरण व्यवहार में अंतर के कारण, जैसे-जैसे शॉट-पीन सतह से गहराई बढ़ती है, परतों ए, बी, सी और डी के दाने धीरे-धीरे बड़े होते जाते हैं।

लगभग 30 µm की गहराई के साथ शीर्ष सतह परत A का औसत अनाज आकार लगभग 1.7 µm है, जो कि घोलित नमूने की तुलना में बहुत छोटा है। परत बी के औसत दाने का आकार लगभग 2.7 µm तक बढ़ गया।

परत सी और डी में बड़े आकार के कई दाने होते हैं, लेकिन उनमें दाने का आकार छोटा रहता है। चार परतों में औसत अनाज के आकार की भिन्नता को चित्र 6c में दर्शाया गया है, जो एक महत्वपूर्ण क्रमिक वितरण दर्शाता है।

इस बीच, शॉट पीन किए गए नमूने में कई जुड़वां सीमाएँ पाई जा सकती हैं, और बाद में 850 ◦C (चित्रा 6 ए) पर एनील्ड किया जा सकता है।

∑3 जुड़वां सीमाओं का संबंधित नक्शा चित्र 6 बी में दिखाया गया है, जिसमें दिखाया गया है कि जुड़वां सीमाओं का घनत्व सतह परत में काफी अधिक है और गहराई के साथ धीरे-धीरे घटता जाता है। मैट्रिक्स में जुड़वां सीमाओं का घनत्व चित्र 4 बी में दिखाए गए समाधानित नमूने के बराबर है।

3.3. संपत्ति

चित्र 7 घोलित नमूने के आकार पुनर्प्राप्ति अनुपात और पुनर्प्राप्ति तनाव को दर्शाता है। आकार पुनर्प्राप्ति अनुपात 83.1% से घटकर 35.2% हो गया जब संयम 2% से बढ़कर 8% हो गया और संबंधित पुनर्प्राप्ति तनाव 0.67% से बढ़कर 1.97% हो गया।

शॉट पीनिंग के बाद आकार स्मृति प्रभाव और उसके बाद विभिन्न तापमानों पर एनीलिंग को चित्र 8 में दिखाया गया है। आकार पुनर्प्राप्ति अनुपात को 850 ◦C पर एनील्ड किए गए नमूने के लिए 4% पूर्व-तनाव पर 78.5% दिखाया गया है, और इसे 92.5 तक बढ़ाया जा सकता है। % a650 ◦C एनीलिंग तापमान के साथ।

ये आकार पुनर्प्राप्ति अनुपात 4% पूर्व-तनाव पर घोलित नमूने की तुलना में काफी अधिक हैं। 750 ◦C और 850 ◦C पर रखे गए नमूनों के लिए 10% पूर्व-तनाव को छोड़कर आकार पुनर्प्राप्ति अनुपात में संयम वृद्धि के साथ कमी आई है।

चित्र 8बी संयम के साथ आकार पुनर्प्राप्ति तनाव की भिन्नता को दर्शाता है। ऐसा लगता है कि रिकवरी स्ट्रेन पर एनीलिंग तापमान का प्रभाव महत्वपूर्ण नहीं है, हालांकि 650 ◦C एनीलिंग तापमान थोड़ा बेहतर प्रभाव दिखाता है।

पुनर्प्राप्ति तनाव लगभग 1.5% से 3.8% तक बढ़ सकता है क्योंकि संयम 4% से 10% तक बढ़ जाता है, जो उसी संयम पर समाधान किए गए नमूने से अधिक है।

सॉल्यूशनयुक्त नमूने की तुलना में, आकार पुनर्प्राप्ति अनुपात और पुनर्प्राप्ति तनाव में क्रमशः 61% और 24% की वृद्धि देखी गई, शॉटपीन किए गए नमूने के लिए 4% पूर्व-तनाव और बाद में 650 ◦C पर एनील्ड किया गया।

जब प्रतिबंध को बढ़ाकर 8% कर दिया गया तो ये वृद्धि क्रमशः 67% और 44% हो गई। मापे गए परिणामों से पता चलता है कि शॉट पीनिंग और उसके बाद एनीलिंग की प्रक्रिया से Fe{3}}Mn{{4}Si{5}}Cr-6Ni मिश्र धातु के आकार-स्मृति प्रभाव में काफी सुधार होता है। जब मिश्रधातुओं को शॉट पीनिंग के अधीन किया गया तो सतह की परत में गंभीर प्लास्टिक विरूपण हुआ। तनाव-प्रेरित मार्टेंसिटिकट्रांसफॉर्मेशन, ट्विनिंग और डिस्लोकेशन स्लिप ने प्लास्टिक विरूपण में योगदान दिया।

इसलिए, एनीलिंग के दौरान रिवर्स मार्टेंसिटिक परिवर्तन, पुनर्प्राप्ति, पुन: क्रिस्टलीकरण और यहां तक ​​कि द्वितीयक क्रिस्टलीकरण भी हो सकता है। इस प्रक्रिया में, सतह परत में एक बारीक सूक्ष्म संरचना बनाई जा सकती है, जैसा चित्र 5 और 6ए में दिखाया गया है।

यह देखा गया है कि अनाज शोधन से आकार स्मृति प्रभाव में सुधार हो सकता है क्योंकि अनाज की सीमाएं मूल चरण को मजबूत कर सकती हैं और विभिन्न अभिविन्यासों में मार्टेंसाइट के विकास में बाधा डाल सकती हैं [28]। इसके अतिरिक्त, मार्टेंसाइट को शॉट पीनिंग के दौरान पेश किया गया था और इस अध्ययन में एनीलिंग के बाद बना रहा। ऐसा माना जाता है कि 0-मार्टेंसाइट की उपस्थिति -ऑस्टेनाइट की तुलना में इसकी उच्च उपज शक्ति के कारण पूर्व-प्रशिक्षण के दौरान स्थायी फिसलन को कम कर देती है; इस प्रकार, उच्च स्तर की आकृति पुनर्प्राप्ति प्राप्त की जा सकती है [27]।

इसके अलावा, अनुसंधान से पता चला है कि थर्मोमैकेनिकल उपचार का उपयोग करके पेश किया गया 0- मार्टेंसाइट विभिन्न ε-मार्टेंसाइट बैंड के बीच टकराव को रोक सकता है और विरूपण के दौरान बैंड को डोमेन-विशिष्ट तरीके से बना सकता है, जिससे आकार स्मृति प्रभाव को लाभ होता है [25]। इस अध्ययन में इस्तेमाल किया गया शॉट पीनिंग और उसके बाद Fe{{4}Mn{5}}Si9Cr-6Ni मिश्र धातु को संसाधित करने के लिए एनीलिंग।

शॉट पीनिंग और उसके बाद एनीलिंग के बाद नमूनों में सूक्ष्म संरचना शोधन और 0- मार्टेंसाइट देखा जाता है। उनके आकार पुनर्प्राप्ति अनुपात और पुनर्प्राप्ति तनाव में समाधानित नमूने की तुलना में काफी सुधार होता है।

नतीजे बताते हैं कि शॉट पीनिंग Fe-Mn-Si-Cr-Ni मिश्र धातुओं के आकार स्मृति प्रभाव को बेहतर बनाने के लिए एक संभावित तकनीक है। हालाँकि, सूक्ष्म संरचना विकास, चरण परिवर्तन और आकार स्मृति प्रभाव में सुधार का विस्तृत तंत्र अस्पष्ट बना हुआ है, जिसके लिए आगे के शोध की आवश्यकता है।

4 निर्णय

(1) 0-मार्टेंसाइट को शॉटपीनिंग के दौरान Fe{{2}Mn-6Si-9Cr-6Ni मिश्र धातु में पेश किया गया था और एनीलिंग के बाद भी बना रहा। जब एनीलिंग तापमान 650 ◦C से 850 ◦C तक बढ़ गया तो सतह परत की मार्टेन्साइट की मात्रा में वृद्धि हुई।

(2) सतह परत की सूक्ष्म संरचना को शॉट पीनिंग और उसके बाद एनीलिंग के बाद परिष्कृत किया गया था। एनीलिंग तापमान के साथ सतह परत के पुन: क्रिस्टलीकरण की मात्रा में वृद्धि हुई।

(3) सॉल्यूशन किए गए नमूने की तुलना में, शॉटपीनिंग के बाद Fe {{1} Mn -6 Si {{3} Cr -6 Ni मिश्र धातु के लिए आकार पुनर्प्राप्ति अनुपात और पुनर्प्राप्ति तनाव में काफी वृद्धि हुई है। और बाद में एनीलिंग।

लेखक का योगदान: संकल्पना, HY और YW; कार्यप्रणाली, HY, और YW; औपचारिक विश्लेषण, HY, WY, और YW; जांच, WY, XD, और MZ; संसाधन, HY; लेखन-मूल मसौदा तैयारी, HY; लेखन-समीक्षा और संपादन, HY और YW; पर्यवेक्षण, HY; परियोजना प्रशासन, HY; फंडिंग अधिग्रहण, HY सभी लेखकों ने पांडुलिपि के प्रकाशित संस्करण को पढ़ लिया है और उससे सहमत हैं।

वित्त पोषण: इस शोध को चीन के शानक्सी प्रांत के विज्ञान और प्रौद्योगिकी विभाग, परियोजना संख्या 2020JQ-676, और नैनो सामग्री और प्रौद्योगिकी की शानक्सी कुंजी प्रयोगशाला द्वारा वित्त पोषित किया गया था।

संस्थागत समीक्षा बोर्ड वक्तव्य: लागू नहीं।

सूचित सहमति वक्तव्य: लागू नहीं।

डेटा उपलब्धता विवरण: लागू नहीं।

हितों का टकराव: लेखक हितों का कोई टकराव नहीं होने की घोषणा करते हैं।

संदर्भ

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